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DISQUE DUR INTERNE SAMSUNG MZ-V9S4T0BW 990 EVO PLUS 4TO SSD M.2

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Disque dur interne Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - Chiffré - 4 To - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - EAN : 8806095575667.

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Description du produit
Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.
Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.
Caractéristiques techniques du produit
  • Transfert de données efficace
    Avec des débits de données internes atteignant 7250 MBps, les données peuvent être transférées rapidement, ce qui permet des temps de démarrage et des vitesses de chargement d'applications plus rapides.
  • Durabilité élevée
    Avec une résistance aux chocs allant jusqu'à 1 500 g et une tolérance aux vibrations, ce disque est suffisamment robuste pour résister aux contraintes physiques, ce qui garantit un fonctionnement fiable dans divers environnements.
  • Gestion avancée des performances
    Prend en charge les fonctions TRIM, Auto Garbage Collection et Device Sleep pour optimiser les performances et prolonger la durée de vie du disque, ce qui le rend adapté aussi bien à une utilisation quotidienne qu'à des applications exigeantes.
  • Fonctions de sécurité renforcées
    Équipé du cryptage matériel AES 256 bits et du cryptage TCG Opal 2.0, le disque offre des mesures de sécurité robustes pour protéger les données sensibles contre les accès non autorisés.
Général
Type de périphérique Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité 4 To
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
Format M.2 2280
Interface PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caractéristiques Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Largeur 22.15 mm
Profondeur 80.15 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 9 g
Performances
Débit de transfert interne 7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 1400000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 1050000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF 1.500.000 heures
Expansion et connectivité
Baie compatible M.2 2280
Alimentation
Consommation électrique 5.5 Watt (lecture)
4.8 Watt (écriture)
60 mW (en attente)
5 mW (veille)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus Samsung Magician Software
Divers
Composition du châssis Revêtement nickel
Dimensions et poids (emballé)
Largeur emballée 9.9 cm
Profondeur emballée 2.29 cm
Hauteur emballée 14.2 cm
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Température de stockage mini -40 °C
Température de stockage maxi 85 °C
Taux d'humidité en fonctionnement 5 - 95 % (sans condensation)
Résistance aux chocs (au repos) 1500 g @ 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos) 20 g @ 20-2000 Hz

Fiche technique

Disponibilité
Stock Paris

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